是半导体分立器件、集成电路出厂前的核心可靠性测试环节，包括器件绝缘耐压测试、介电击穿测试、高温反偏老化测试（HTRB）、雪崩耐量测试、漏电流测试，筛选出存在缺陷的不合格器件，保障产品出厂可靠性，适配 IGBT、MOSFET、二极管、光耦、集成电路等全品类半导体器件。
1.为被测器件提供可编程、宽范围的直流 / 脉冲高压，模拟器件极端工作条件下的电应力环境；
2.高精度电压 / 电流测量功能，精准采集器件的击穿电压、漏电流、雪崩耐量等核心参数；
3.微秒级击穿保护，器件击穿瞬间切断输出，避免器件损坏，同时精准记录击穿参数。
输出电压覆盖 0~100kV，测量精度≤0.1% FS，内置完善的保护机制，支持 RS485/232 程控通讯，可对接产线自动化测试系统。
通过高压电源为被测半导体器件施加可控的直流 / 脉冲高压，模拟器件工作的极端电应力环境，精准测试器件的击穿电压、漏电流、老化寿命、雪崩耐量等核心电性能参数，筛选出不合格器件，保障产品出厂可靠性。
IGBT/MOSFET 功率器件测试、光耦耐压测试、集成电路可靠性测试、分立器件产线终测、器件失效分析。
