【应用介绍】等离子体刻蚀是 28nm 及以下先进制程的核心图形转移工艺，分为 CCP 电容耦合刻蚀（适配高深宽比介质刻蚀）、ICP 电感耦合刻蚀（适配低损伤硅 / 金属刻蚀），通过等离子体的物理轰击 + 化学反应，在晶圆表面实现纳米级图形的精准转移，是逻辑芯片、3D NAND 存…
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【应用介绍】磁控溅射是晶圆金属化制程的核心工艺，通过高能离子轰击靶材，使靶材原子逸出并均匀沉积在晶圆表面，形成金属互连层、阻挡层、种子层、焊盘凸点，适配铝、铜、钛、金、镍铬等多种靶材，是晶圆制造、先进封装的必备环节。【电源核心作用】1.为溅射靶材提供负高…
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【应用介绍】静电卡盘是光刻机、刻蚀机、镀膜机、晶圆检测设备的核心晶圆夹持部件，通过静电吸附力将晶圆牢牢固定在卡盘表面，相比机械夹持，可实现晶圆无应力全表面贴合，无局部形变，保障制程均匀性，是 12 英寸大尺寸晶圆制程的必备核心部件，分为库仑型、J-R 型两大类…
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【应用介绍】适配碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的全流程制造，包括 SiC 单晶衬底生长、GaN 外延层制备、高能离子注入掺杂、高温激活退火、器件高压特性测试，是新能源汽车、光伏、5G 射频用第三代半导体器件制造的核心环节。【电源核心作用】1.为 SiC 单晶…
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