适配碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的全流程制造，包括 SiC 单晶衬底生长、GaN 外延层制备、高能离子注入掺杂、高温激活退火、器件高压特性测试，是新能源汽车、光伏、5G 射频用第三代半导体器件制造的核心环节。
1.为 SiC 单晶炉提供大电流高压电源，精准控制石墨坩埚的感应加热温度场，实现 2000℃以上超高温精准控温，保障单晶结晶质量；
2.为高能离子注入提供 200kV 以上超高稳定加速高压，实现 SiC 晶圆的深阱掺杂；
3.为高温退火炉提供高压电源，实现掺杂杂质的电激活；④ 为器件高压测试提供可编程高压，完成器件击穿电压、雪崩耐量测试。
高功率连续输出，温控精度 ±0.5℃以内，数千小时不间断运行可靠性，全参数可定制，适配国产第三代半导体设备配套需求。
通过高压电源为 SiC 单晶生长炉提供高稳定功率输出，精准控制 2000℃以上超高温温度场，实现高质量 SiC 单晶衬底生长；同时为第三代半导体器件的高能离子注入、高温激活退火、高压特性测试提供全流程高压配套，保障器件性能与良率。
SiC 单晶生长、GaN 外延制备、车规级 SiC 功率器件制造、5G 射频 GaN 器件加工。
