磁控溅射是晶圆金属化制程的核心工艺，通过高能离子轰击靶材，使靶材原子逸出并均匀沉积在晶圆表面，形成金属互连层、阻挡层、种子层、焊盘凸点，适配铝、铜、钛、金、镍铬等多种靶材，是晶圆制造、先进封装的必备环节。
1.为溅射靶材提供负高压，使氩气发生辉光放电电离形成等离子体；
2.为氩离子加速提供强电场，使其高速轰击靶材，实现靶材原子的稳定溅射；
3.优异的打火抑制能力，避免靶材拉弧导致的薄膜颗粒缺陷，保障晶圆镀膜均匀性。
纹波优于 0.1% 峰峰值，1μs 级快速灭弧，低电弧放电电流，适配单靶 / 多靶共溅射、反应溅射等多种工艺。
通过高压电源为靶材提供负高压，使真空腔体内的氩气发生辉光放电形成等离子体，氩离子在电场加速下高速轰击靶材，使靶材原子逸出并均匀沉积在晶圆表面，形成纳米级致密金属 / 介质薄膜。
晶圆金属互连层制备、光刻掩模版镀膜、先进封装凸点制备、化合物半导体器件欧姆接触层制备。
