等离子体刻蚀是 28nm 及以下先进制程的核心图形转移工艺，分为 CCP 电容耦合刻蚀（适配高深宽比介质刻蚀）、ICP 电感耦合刻蚀（适配低损伤硅 / 金属刻蚀），通过等离子体的物理轰击 + 化学反应，在晶圆表面实现纳米级图形的精准转移，是逻辑芯片、3D NAND 存储芯片制造的核心环节。
1.为上电极提供射频高压，激发腔体内氟基 / 氯基工艺气体形成高密度等离子体；
2.为晶圆台（下电极）提供偏置高压，构建定向电场，引导离子垂直轰击晶圆，保障刻蚀的各向异性；
3.纳秒级电弧抑制功能，避免等离子体打火导致的晶圆损伤。
纳秒级电弧快恢复，宽范围频率 / 功率线性可调，快速阻抗匹配，适配国产刻蚀机的自主化配套需求。
通过高压电源激发工艺气体形成高密度等离子体，同时为晶圆台提供偏置高压构建定向电场，引导高能离子垂直轰击晶圆表面，配合活性自由基的化学反应，实现纳米级图形的高精度各向异性刻蚀。
逻辑芯片先进制程刻蚀、3D NAND 存储芯片深槽刻蚀、功率器件沟槽刻蚀、MEMS 器件结构刻蚀。
