离子注入是半导体晶圆掺杂的核心制程，通过将硼、磷、砷等掺杂元素电离，加速注入晶圆硅衬底，精准调控器件电学性能，是晶体管源漏极、阱区、隔离结构制备的必备环节。其中：低能注入适配超浅结制程，中能注入适配通用逻辑芯片，高能注入适配功率器件、CMOS 图像传感器的深阱掺杂。
1.为离子源提供励磁高压，实现掺杂气体稳定电离；
2.为加速管提供超高稳定度直流高压，构建定向强电场，精准控制离子动能与注入深度；
3.为聚焦、扫描偏转系统提供配套高压，保障全晶圆注入均匀性偏差≤±0.5%。
ppm 级电压稳定度，超低纹波噪声，内置过压 / 过流 / 拉弧 / 短路全保护，微秒级灭弧响应，可 7×24 小时连续运行，避免晶圆批次性报废。
通过高压电源在加速腔构建强定向电场，使掺杂元素电离形成的带电离子获得预设动能，精准注入晶圆硅衬底指定深度，调控半导体器件电学性能，是超大规模集成电路制造的核心制程。
逻辑 / 存储芯片制造、IGBT/MOSFET 功率器件加工、CMOS 图像传感器制备、第三代半导体器件掺杂。
